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老化箱_252kv高壓直流絕緣子熱破壞試驗室

簡要描述:基于中國幅員遼闊,地域面積廣闊,資源不均衡,導(dǎo)致目前我國輸電線路及聯(lián)網(wǎng)(并網(wǎng)),需要跨區(qū)域、遠(yuǎn)距離的傳輸;所以超高壓直流輸電事業(yè)的發(fā)展也異常的迅速。隨著近年來輸電線路電壓等級的不斷提高,直流絕緣子的老化問題日趨嚴(yán)峻。綜合定制型的老化箱_252kv高壓直流絕緣子熱破壞試驗室符合行業(yè)特征的老化箱應(yīng)運而生。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2024-12-25
  • 訪  問  量: 3576

詳細(xì)介紹

品牌CK/長肯價格區(qū)間面議
產(chǎn)地類別國產(chǎn)應(yīng)用領(lǐng)域化工,能源,電子

前言:(老化箱_252kv高壓直流絕緣子熱破壞試驗室

基于中國幅員遼闊,地域面積廣闊,資源不均衡,導(dǎo)致目前我國輸電線路及聯(lián)網(wǎng)(并網(wǎng)),需要跨區(qū)域、遠(yuǎn)距離的傳輸;所以超高壓直流輸電事業(yè)的發(fā)展也異常的迅速。隨著近年來輸電線路電壓等級的不斷提高,直流絕緣子的老化問題日趨嚴(yán)峻。

直流絕緣子在在電力系統(tǒng)中應(yīng)用很廣泛,尤其在直流輸電工程中的應(yīng)用。用于支持帶電導(dǎo)體并使其絕緣的電器元件。一般由絕緣件(如瓷件)和金屬附件(如鋼腳、鐵帽、法蘭等)用膠合劑膠合或機(jī)械卡裝而成。屬于外絕緣,在大氣條件下工作。架空輸電線路、發(fā)電廠和變電所的母線和各種電氣設(shè)備的外部帶電導(dǎo)體均須用絕緣子支持,并使之與大地(或接地物)或其他有電位差的導(dǎo)體絕緣。由于其工作環(huán)境一直處于大氣條件,那么絕緣子本身的耐氣候老化性能也就成了電力部門非常關(guān)心的重點問題。長期老化性能的優(yōu)劣與運行條件(如電應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力、大氣自然環(huán)境溫濕度、紫外、臭氧)以及絕緣子內(nèi)在材質(zhì)有很大關(guān)系。在模擬絕緣子實際工作環(huán)境下的老化性能綜合試驗方面主要包括:大氣環(huán)境的污垢(防塵試驗)、降雨(淋雨試驗)、太陽輻射(光照老化試驗)、放電(局放試驗)、高溫高濕(高低溫交變濕熱試驗)、大氣中腐蝕性成分老化(復(fù)合鹽霧腐蝕試驗)等。老化箱_252kv高壓直流絕緣子熱破壞試驗室綜合解決上述問題。

對于瓷絕緣子材質(zhì)在直流電壓下的老化成因,有人認(rèn)為,瓷質(zhì)中的堿金屬離子,特別是Na’離子在遷移過程中由于獲得電子而形成體積比離子體積大兩倍的原子,局部膨脹應(yīng)力致使絕緣子破裂(主要出現(xiàn)在絕緣子頭部);另外一種觀點認(rèn)為.離子遷移造成了瓷件內(nèi)部電阻率不同的導(dǎo)電層,導(dǎo)致不均勻的電場分布,長時間作用后而出現(xiàn)擊其穿。為了驗證其在運行狀態(tài)下的老化成因,電氣制造商必須對其進(jìn)行自然大氣環(huán)境中的工作狀態(tài)的一種模擬測試。


滿足標(biāo)準(zhǔn)

  1. GB/T 16927.1-2011  高電壓試驗技術(shù) *部分:一般試驗要求

  2. IEC 60-1:1989

  3. GB/T11158-2006高溫箱技術(shù)條件

  4.    4.GB/T 19443-2004    標(biāo)稱電壓高于1000V的架空線路用絕緣子-直流系統(tǒng)用瓷或玻璃絕緣子元件-定義、試驗方法和接收準(zhǔn)則

  5. 5.IEC 61325:1995, MOD

主要技術(shù)參數(shù)

  • 型號: ZWS-28型    

  • 恒溫箱內(nèi)部尺寸(D×W×H): 2000×3000×4600 ㎜

  • 溫度范圍:   RT+10℃~200℃

  • 溫度均勻度:   ≤ 5℃  (200℃內(nèi),空載時)

  • 溫度波動度:   ±0.5℃ (空載時)

  • 溫度偏差:   ≤±2℃

  • 時間設(shè)定范圍:   0~9999 小時、分鐘、秒

  • 數(shù)量:2套

  • 直流高壓產(chǎn)生測量系統(tǒng):

輸出電壓:     0~+300kV  DC

電壓測量精度: △≤1%

  電壓脈動系數(shù): δ≤1.5~3%

z大負(fù)載電流: Imax=100mA

電流測量精度: δ≤1%(注:總電流)

連續(xù)運行時間: T≥180天

  • 絕緣子離子遷移測量系統(tǒng)

被測試品數(shù)量:   N≥54只    (H=300mm Φ=320~600mm)

體電阻測量:     R≥1010Ω    測量精度≤±3%

遷移電荷量測量: Q∶0~5C     測量精度≤±1%

溫度測量范圍:   室溫~200℃  測量精度≤±1℃

溫度控制的穩(wěn)定性和均勻性偏差:±3~5℃

  • 熱電破壞試驗測量系統(tǒng):

試品數(shù)量:      N=56只         (H=300mm Φ=320~600mm)

  體電流測量:    0.001μA~1mA     測量精度≤±2%

溫度測量范圍:  室溫~200℃        測量精度≤±1℃

  溫度控制的穩(wěn)定性和均勻性偏差:±3~5℃





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